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发布时间:2020-08-18 19:24:11
含镁大于2%的合金不能用。在高温,一些金属起加速CF4分解的催化作用。按其催化作用增长的次序由小到大地排列则如下:因科镍合金、奥氏体不锈钢、镍、钢、铝、铜、青铜、黄铜、银。四氟化1碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体,其高纯气及四氟化1碳高纯气配高纯氧气的混合体,可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。将其通过装有氢1氧化钠溶液的洗气瓶除去四氟1化硅,随后通过硅胶和五氧1化二磷干燥塔得到终产品。由于化学稳定性极强,CF4还可以用于金属冶炼和塑料行业等。
它在大气中的寿命约为50,000年,***增温(***暖化)系数是6,500(二氧化碳的系数是1)。虽然结构与氟氯烃相似,但四氟化碳不会***臭氧层。四氟化碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体,其高纯气及四氟化碳高纯气配高纯氧气的混合体,可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。预先称取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉,置于镍盘中,使硅和碳化硅充分接触后,将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中,向反应管内通入氟气,氟气先和单质硅反应。
由碳与氟反应,或一氧4化碳与氟反应,或碳化硅与氟反应,或氟石与石油焦在电炉里反应,或二氟二氯甲4烷与氟4化氢反应,或四氯4化碳与氟化银反应,或四氯4化碳与氟化4氢反应,都能生成四氟化碳。在电子器件表面清洗、太阳能电池的生产、激光技术、气相绝缘、低温制冷、泄漏检验剂、控制宇宙火箭姿态、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。对于硅和二氧化硅体系,采用CF4-O2反应离子刻蚀时,通过调节两种气体的比例,可以获得45:1的选择性,这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。
吸入四氟化碳的后果与浓度有关,包括头1痛、恶心、头昏眼花及心血1管系统的***(主要是心脏)。长时间接触会导致严重的心脏***。因为导致臭氧层***的是氟氯烃中的氯原子,它被紫外线辐射击中时会分离。碳-氟键比较强,因此分离的可能性比较低。在电子器件表面清洗、太阳能电池的生产、激光技术、气相绝缘、低温制冷、泄漏检验剂、控制宇宙火箭姿态、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。
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